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SLM2005E

200V低压驱（qū）动芯片

样片申（shēn）请

SLM2005E Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2005E 是一款高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱（qū）动器。采用专有（yǒu）的高压（yā）集成电（diàn）路和锁存免（miǎn）疫的CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片驱动（dòng）方案。逻辑输入（rù）电平与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输出（chū）兼容，最低支持（chí）3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以（yǐ）减小（xiǎo）驱动器（qì）交叉（chā）导通。浮（fú）动通（tōng）道可用于（yú）驱动（dòng）高（gāo）边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达200V。

产品特性

为自举操（cāo）作设计的浮动通（tōng）道

完全运行时电压（yā）高（gāo）达 200V

容（róng）许（xǔ）瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入（rù）兼容

驱动（dòng）电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传输延（yán）迟

输出信号与输入信号（hào）同相

通过无（wú）铅（qiān）认证