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SLM2009

200V低压驱动芯片

样片申（shēn）请（qǐng）

SLM2009 Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安规认（rèn）证

典（diǎn）型（xíng）应用图（tú）

产（chǎn）品概（gài）述

SLM2009 是一款高压、高速（sù）的功（gōng）率MOSFET和（hé）IGBT驱动器。采用专有的高压集（jí）成电路和锁存免疫（yì）的（de）CMOS技（jì）术可（kě）提供可（kě）靠（kào）的单芯片驱（qū）动方案。逻辑（jí）输（shū）入电平（píng）与标准（zhǔn）CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲电（diàn）流缓冲级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高（gāo）边配（pèi）置的（de）N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压可（kě）高达200V。

产（chǎn）品特性

为自举（jǔ）操（cāo）作设计的浮（fú）动（dòng）通道

完全运行时电压（yā）高达 200V

容许瞬（shùn）间（jiān）负电（diàn）压，不受（shòu） dV/dt 影响

驱动电源范（fàn）围从 10V 到（dào） 18V

欠（qiàn）压闭锁

3.3V、5V 逻辑输（shū）入兼（jiān）容

驱（qū）动电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通（tōng）道间匹（pǐ）配传输（shū）延迟（chí）

输出信号与输入信号同相

通过（guò）无铅认证