SiLM27519 器件是单通（tōng）道高速低边门极驱动（dòng）器，可（kě）有效（xiào）驱动 MOSFET 和（hé） IGBT 等功率（lǜ）开关。SiLM27519 采用一（yī）种能够从（cóng）内部极大（dà）的（de）降（jiàng）低直（zhí）通（tōng）电流的设（shè）计，将高（gāo）峰值的源电流（liú）和灌电流（liú）脉冲（chōng）提供给（gěi）电（diàn）容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱动能（néng）力和典（diǎn）型值仅为 18ns 的极小传播（bō）延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况下，能（néng）够提供（gòng） 4A 的峰值源（yuán）电流（liú）和 5A 的峰值灌电流（liú）。
低成本的门极驱动方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件（jiàn）方案
4A 的峰值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力
快速的传输延时（典（diǎn）型值为 18ns）
快速的上升（shēng）和下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电源范围（wéi）
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻辑电（diàn）压阈值
双输（shū）入设计(可（kě）选择反相或非反相驱动配置（zhì）)
输入浮空时输出（chū）保持（chí）为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项（xiàng）
400 080 9938
