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SiLM2004E

200V低压驱动芯片

样片申请（qǐng）

SiLM2004E Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典型应用图

产品（pǐn）概（gài）述（shù）

SiLM2004E 是一款（kuǎn）高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器。采（cǎi）用专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技（jì）术可提供可靠的单芯片驱动方案（àn）。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最（zuì）低（dī）支持（chí）3.3V逻辑。输出（chū）驱（qū）动（dòng）器（qì）具有（yǒu）高脉冲（chōng）电流（liú）缓冲（chōng）级，以减（jiǎn）小驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为（wéi）自举操作设计的浮（fú）动通道

完全运行时电压高达 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到 18V

欠压闭（bì）锁

3.3V、5V逻辑输入兼容

驱（qū）动（dòng）电流：290 mA/600 mA

防止（zhǐ）交（jiāo）叉（chā）导通逻辑

两通道间匹配传输延迟（chí）

通过无（wú）铅认证

提供 SOP-8 封装选项