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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥（qiáo）驱动

样片（piàn）申请

SiLM2024 Datasheet

产（chǎn）品概述

产品特性

安规认证

典型应（yīng）用图

产品概（gài）述

SiLM2024 是一款（kuǎn）高（gāo）压、高速的功（gōng）率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案（àn）。逻辑输（shū）入电平与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容（róng），最（zuì）低（dī）支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲（chōng）电（diàn）流缓冲级，以减小驱动（dòng）器交（jiāo）叉导通。浮动通道（dào）可用于驱动高边配（pèi）置的（de）N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可高达200V。

产品（pǐn）特性

为自（zì）举操作设计的浮动通道

完全运（yùn）行时（shí）电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电（diàn）压，不（bú）受 dV/dt 影响

驱动电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入（rù）兼容

驱动电（diàn）流：290mA/600mA

典型（xíng）的开通/关断延（yán）时：680 ns/150 ns

死区时间：520 ns

防止交（jiāo）叉导（dǎo）通逻辑

两通道间匹配传输延（yán）迟