SiLM2660/61是用于（yú）电池（chí）充（chōng）电/放（fàng）电系统控制的低功耗、高边N沟（gōu）道FET驱动器（qì）。高边保（bǎo）护功能可避免（miǎn）系统的接地引脚断开连接，以确保电池（chí）组和主（zhǔ）机系统（tǒng）之间的持续通信。SiLM2660具有额外（wài）的PFET控制输出，以允（yǔn）许对深度放电的电池进行（háng）低电流预充电（diàn），并且还（hái）集（jí）成了用于主机监控的电池PACK+电压检测。
独立的使能输入（rù）接口允许电池充电和放（fàng）电FET分别导通和关断，为电（diàn）池（chí）系统保（bǎo）护提供可靠性和设计灵活性。
高边NFET驱动器，具有极短的开（kāi）启（qǐ）和关闭时间，用于迅速保（bǎo）护电池。
预充电PFET驱动器为深度耗尽的电池组提供电流（liú）限制的预充（chōng）电功能(仅适用于SiLM2660)。
充电（diàn）和放电的独立使能控制。
基于外部（bù）电容器（qì）可扩（kuò）展的电荷泵，可适用多颗NFET并联驱动。
高的输入耐压（yā）值（最大100V）。
可配置的（de）电池组电（diàn）压检测功（gōng）能（仅（jǐn）适用于SiLM2660）。
支持可配置的通用（yòng）和独（dú）立（lì）充（chōng）电和放电路（lù）径管理。
低功耗：正常模式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
