SiLM27512器件是单通道（dào）高速低边门极驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和IGBT等功率（lǜ）开（kāi）关。SiLM27512采用（yòng）一种能够从内部极大的降低（dī）直通电流的设（shè）计，将高峰值的源电流（liú）和灌电流脉（mò）冲提供给（gěi）电容负（fù）载，以实现轨到轨的驱（qū）动能力（lì）和典型值仅为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SiLM27512在（zài）12V的VDD供（gòng）电情（qíng）况下，能（néng）够提供4A的峰值（zhí）源电（diàn）流（liú）和5A的峰值灌电流。
低（dī）成（chéng）本的（de）门极驱动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案（àn）
4A 的峰（fēng）值源电流和5A的峰值灌电流能力
快（kuài）速的传（chuán）输延时（典（diǎn）型值（zhí）为 18ns）
快速（sù）的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源（yuán）范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设（shè）计(可选择反相（xiàng）或非反相（xiàng）驱动（dòng）配置)
输入浮空时输出保持为（wéi）低（dī）
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供DFN3x3-6 的封装选（xuǎn）项
400 080 9938
