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SiLM27517H

单（dān）通道 20V, 4A/5A 高欠压保护低边门极驱动器

样片申请（qǐng）

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产品概述

产品特性

安规认（rèn）证

典型（xíng）应用图

产品概述

SiLM27517H 系列是（shì）单通（tōng）道高欠（qiàn）压保护低边（biān）门极（jí）驱动器，可有（yǒu）效驱动MOSFET和IGBT等功率开（kāi）关。SiLM27517H 采（cǎi）用一种能够从内（nèi）部（bù）极大的降低直通电（diàn）流的（de）设计，将高峰值的源电流和灌电流（liú）脉冲提（tí）供给电容负载，以实现轨到轨的驱（qū）动能力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电流和 5A 的（de）峰值（zhí）灌电流。SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性（xìng）

低成本的门（mén）极驱（qū）动方案可用于（yú）替（tì）代 NPN和 PNP 分离器件方案

4A的（de）峰值源电流和 5A 的峰值灌电流能力

快速的传播延时（典（diǎn）型值为 18ns）

快速的上升和下降时间（jiān）（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单（dān）电源范（fàn）围

SiLM27517H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输（shū）入逻辑（jí）电压阈值

双输入设计（jì）(可选择反相或非（fēi）反相驱动配置)

输入（rù）浮空时输出保持为低

工作温度范（fàn）围（wéi）为 -40°C 到（dào） 140°C